全球與中國集成電路光刻膠市場動態(tài)監(jiān)測及投資可行性研究報告2025-2031年

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【全新修訂】：2025年4月

【出版機構(gòu)】：中智信投研究網(wǎng)

【內(nèi)容部分有刪減·詳細可參中智信投研究網(wǎng)出版完整信息！】

【報告價格】：[紙質(zhì)版]:6500元 [電子版]:6800元 [紙質(zhì)+電子]:7000元 (可以優(yōu)惠）

【服務(wù)形式】: 文本+電子版+光盤

【聯(lián) 系 人】：顧瀅瀅   李雪

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 2024年全球集成電路光刻膠市場規(guī)模大約為2361百萬美元，預(yù)計未來六年年復(fù)合增長率CAGR為7.6%，到2031年達到3893百萬美元。

光刻膠能對特定波長的光作出反應(yīng)，引起化學(xué)變化。再利用物理性/化學(xué)性的變化，使特定的Pattern轉(zhuǎn)寫的高分子化合物。半導(dǎo)體電路器件制造工程中，用于Lithography工藝的核心材料。隨著高集成度、超高速、超高頻集成電路及元器件的開發(fā)，集成電路與元器件特征尺寸呈現(xiàn)出越來越精細的趨勢，加工尺寸達到百納米直至納米級，光刻設(shè)備和光刻膠產(chǎn)品也為滿足超微細電子線路圖形的加工應(yīng)用而推陳出新。光刻膠的分辨率直接決定了特征尺寸的大小，通常而言，曝光波長越短，分辨率越高，因此為適應(yīng)集成電路線寬不斷縮小的要求，光刻膠的曝光波長由紫外寬譜向g線（436nm）→i線（365nm）→KrF（248nm）→ArF(193nm)→EUV（13.5nm）的方向轉(zhuǎn)移，并通過分辨率增強技術(shù)不斷提升光刻膠的分辨率水平，而紫外寬譜光刻膠更多應(yīng)用于分立器件。 半導(dǎo)體光刻膠包括普通寬普光刻膠、g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）及先進的EUV(